很多朋友对qx9650功耗，qx9650还不了解，今天小绿就为大家解答一下。
45nm Penryn处理器新技术和规格新工艺起点-45nm处理器亮相目前，英特尔每两年换一次工艺。65纳米处理器全面上市后，英特尔再次改进了CPU制造工艺，将于本月16日推出首款45纳米Penryn处理器。全新45纳米Penryn家族由七名成员组成，包括双核台式机处理器Wolfdate、四核台式机处理器Yorkfield、双核移动处理器Penryn、双核至强DP处理器Wolfdate DP、四核至强DP处理器Harpertown、双核至强MP处理器Dunnington DC和四核至强MP处理器Dunnington QC。首款英特尔45nm Penryn处理器QX9650据了解，Penryn双核版本内置4.1亿个晶体管，而四核版本内置8.2亿个晶体管。微架构强化后，比上一代核心产品同频率下性能更高。同时L 2缓存容量提升50%，显著提升数据读取执行速度。此外，还添加了47条新的英特尔SSE4指令，以提高媒体性能并实现高性能计算应用。CPU-Z泡泡网下的QX9650最近有幸拿到了第一批Intel 45nm处理器Penryn QX9650。它的核心频率是3GHz，12MB L2缓存和FSB 1333MHz，是绝对的旗舰。接下来我们就和65nmQX6850对比一下。左边是QX9650，为QX6850配置处理器测试平台硬件系统右边是Intel QX9650Intel QX6850主板华硕P5E3豪华硬盘希捷7200.10 166G1DDR 3 1600 2显卡Nvidia 8800 ULTRA核心：8800ULTRA(612MHz)流处理设备：1500MHz显存：768 MB GDDR3(1080MHz)电源海韵S12 600W希望读者能更直观的了解QX9650的特点和性能。45纳米采用高K金属栅技术。之前我们也简单回顾了一下CPU进程。细心的朋友可能会发现，从90nm工艺开始就出现了严重的漏电问题，阻碍了芯片和个人电脑的设计、尺寸、功耗、噪声和成本发展。因此，在新一代45nm Penryn处理器中，采用全新材料制成的45nm晶体管绝缘层和开关栅极，降低晶体管漏电。实际上，晶体管是一种简单的开关器件，可以处理电子数据中0和1的组合。一个处理器包含数百万个由铜线以特定方式连接在一起的晶体管。晶体管内部由源极、漏极、栅电极、栅极电介质和硅底部沟道组成。源极是指晶体管中产生电流的那部分，其中含有涂层硅，漏极是指晶体管中电流流动的那部分。和源极一样，这部分掺杂了一些杂质来降低电阻。但是，如果晶体管是绝对对称的，电流可以从源极流到漏极，或者从漏极流到源极。栅极是晶体管顶部的区域，其电流的状态决定了晶体管是开还是关。传统上，栅极由多晶硅或硅制成，其原子随机排列，不会形成网格结构。栅极电介质是栅电极和沟槽之间的薄层。目前数字芯片中晶体管的栅介质由二氧化硅构成，二氧化硅是一种绝缘体材料。它的作用是隔离栅电极的漏电流，但如果栅介质层太薄，漏电流会更大。为了减少泄漏问题，应同时提高其性能。英特尔使用高k的新材料来制作晶体管栅极的电介质，晶体管栅极的电极也搭配了一种全新的金属材料。这样，测试表明，不仅晶体管的性能提高了，而且漏电现象比以前减少了5倍。众所周知，用于制作栅介质的材料主要是二氧化硅，因为二氧化硅具有良好的可制造性，可以降低厚度保持晶体管的整体性能。因为高k栅极电介质与现有的硅栅极不兼容，所以英特尔的新45纳米晶体管设计还必须开发新的金属栅极材料。目前，新金属的细节尚未透露，英特尔也没有解释其金属mater的组合
与上一代技术相比，英特尔45纳米工艺可以将晶体管密度提高近2倍，可以增加处理器中的晶体管总数或减小处理器的体积，使产品比竞争对手更具竞争力。此外，晶体管开关所需的功率更低，功耗降低近30%。内部连接线采用低k介质铜线，平滑提升性能，降低功耗，开关速度快20%左右。值得注意的是，英特尔成功将新一代45nm工艺产品的漏电量降低了5倍以上，晶体管栅氧化层的漏电量降低了10倍以上。与上一代65nm工艺产品相比，在相同功耗性能下可以提升20%左右，或者在相同频率下功耗更低，电池续航能力也有明显提升。在IDF上，继碎肉之后，英特尔还透露了更多关于45纳米Penryn处理器的信息。在FSB方面，英特尔表示，虽然Penryn最高可以达到1600Mhz，但只有服务器版的Penryn Xeon才会有这么高的频率，普通桌面版仍然会达到1,333 MHz。毕竟目前的Bearlake芯片组只能支持1333Mhz的FSB，下一代EagleLakeFSB架构已经落后于AMD的HT。在Penryn之后的Nehalem处理器上，英特尔将采用全新的CSI架构，在设计上类似于AMD的HT bus技术，内置内存控制器，从而抛弃FSB架构。指令集方面，目前的Core2Duo处理器中加入了SSE4，但它只是它“SSSE3”的子集。虽然英特尔表示Penryn将支持SSE4，但是否完全支持还有待考证。目前我们知道Penryn总共会增加47条SSE4指令，未来还会增加7条。Penryn移动版还拥有两项新颖的节能技术：C6状态和EDAT。C6状态可以将笔记本处理器在空闲状态下的功耗降到非常低的水平，核心电压也会根据情况大幅降低。与此同时，缓存将完全转移其中的数据，并完全关闭。从这种状态恢复过来需要一点时间，对性能会有一定的影响，但是对于笔记本用户来说，续航显然更重要。EDAT可以单独提高一个处理核心的频率，关闭其他暂时不使用的核心，以适应只能使用一个核心的单线程任务或多线程任务。Penryn还是会采用LGA775接口，和奔腾4、Conroe Core 2 Duo一样，但是否能在老主板上使用还要看VRM模块的规格。或许到时候现有的大部分主板都很难支持Penryn了，即使支持，1333Mhz FSB也是一个很大的性能门槛。
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