很多朋友对电脑闪存是什么意思?，闪存是什么意思还不了解，今天小绿就为大家解答一下。
NOR(27) Flash存储器(98) NOR Flash存储器/NAND闪存是什么意思 NAND Flash存储器芯片与NOR Flash存储器芯片的区别主要有：1)Flash存储器芯片读写的基本单元。不同的应用以“字”为基本单位操作NOR芯片。为了便于大容量NOR闪存的管理，NOR闪存通常被划分为128KB或64KB大小的逻辑块，有时这些逻辑块也被划分为扇区。读写时，应指定逻辑块号和块内偏移量。应用程序以“块”为基本单位操作一个数模芯片。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每个块分成页面，页面大小一般是512字节。要修改NAND芯片中的一个字节，必须重写整个数据块。2)NOR闪存是一种随机存储介质，用于数据量较小的场合；闪存是一种连续存储介质，适合存储大量数据。3)由于NOR地址线与数据线是分开的，NOR芯片可以像SRAM一样连接到数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片。它的传输效率非常高，可执行程序可以在芯片中执行(XI P，就地执行)，这样应用程序就可以直接在flash存储器中运行，而不必将代码读入系统ram中。由于NOR的这一特性，NOR芯片经常被用作嵌入式系统的启动芯片。但是NAND共用地址和数据总线，所以很难直接用NAND芯片作为启动芯片。4)N a D闪存芯片因为共享地址和数据总线，不允许清除一个字节甚至一个块的数据，只能清除一个固定大小的区域；而NOR芯片可以对字进行操作。所以数据量小的I/O操作速度比NAND快。比如NOR芯片写一个字通常需要10微秒，所以在32位总线上写512个字节需要1280毫秒；但NAND闪存写入512字节所需的时间包括：512 50纳秒每字节10微秒，页寻时间200微秒，芯片擦除时间=234微秒。5)5)NAND闪存的容量比较大。目前最大容量已经达到8GB字节。为了方便管理，NAND采用了块和页两级存储体系，也就是说，闪存的存储空间是二维的。例如，K9F5608UOA闪存的块大小为16K，页大小为512字节，每页有16字节的空闲区域用于存储错误校验码(有时称为带外，OOB空间)；在写操作期间，NAND闪存一次将一个字节的数据放入内部缓存区，然后发出写操作的“写指令”。因为NAND闪存是以块和页为单位进行操作的，所以在读写大量数据时，NAND闪存比NOR闪存更快。NOR闪存的可靠性高于NAND闪存。这主要是因为NOR闪存接口简单，数据操作和位交换操作少，所以可靠性高，坏块少，一般用在可靠性要求高的地方。相反，NAND闪存的接口和操作相对复杂，位交换操作较多。对于关键数据，需要用〔EDC/ECC算法来保证数据的完整性，所以出现问题的概率要大很多，坏块在所难免。而且由于坏块是随机分布的，甚至无法实现纠错。7)NAND Flash一般共用地址线和数据线，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存的数据线和地址线是分开的，所以读写速度相对更快。NAND和NOR芯片的共性首先表现在写入前必须清空芯片中相应的内容，也就是通常所说的“先擦除后写入”。只有NOR芯片只需要擦除一个字，而NAND芯片需要擦除整个块。
其次，闪存擦除次数有限。当闪存的使用接近其使用寿命时，写操作经常失败。在其使用寿命结束时，虽然闪存中存储的数据可以读取，但不能再次写入。所以，为了防止上述问题，你不能对一个特定的区域反复写。一般NAND芯片的可擦频率高于NOR芯片。但由于NAND芯片通常是整块擦除，所以如果一个块中有一页失效，整个块都会失效。而且由于擦除过程比较复杂，失效的概率比较高，所以NOR芯片整体寿命比较长。另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是物理操作。事实上，在闪存中存储数据必须通过算法来实现。该模块一般在驱动程序的MTD '(内存技术驱动程序)模块或FTLZ (Flash Translation Layer)层实现。具体算法跟芯片的厂商和芯片的型号有关。通过对比可以发现，NAND更适合复杂的文件应用，但由于NAND芯片的使用相对复杂，对文件系统的要求更高。
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