很多朋友对双向可控硅工作原理图解，双向可控硅工作原理还不了解，今天小绿就为大家解答一下。
关键字是什么双向可控硅工作原理？1.SCR是P1N1P2N2的四层三端结构元件，有三个PN结。分析原理的时候，可以把它看成一个PNP晶体管和一个NPN晶体管。当直流电压加到阳极A时，BG1和BG2管处于放大状态。此时，如果从控制电极G输入正触发信号，则基极电流ib2流过BG2，其被BG2放大，并且其集电极电流ic2=2ib2。因为BG2的集电极直接连接到BG1的基极，所以ib1=ic。2。此时电流ic2被BG1放大，使得BG1= 1Ib1= 1 2Ib2的集电极电流IC1。这个电流流回BG2的基极，表示正反馈，使ib2不断增加。这种正反馈循环的结果是，两个管的电流急剧增加，晶闸管使其饱和导通。由于BG1和BG2形成的正反馈效应，一旦晶闸管导通，即使控制极G的电流消失，晶闸管仍能保持导通。由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以晶闸管不能关断。由于晶闸管只有两种工作状态，即通断和关断，所以它具有开关特性，只有在一定条件下才能转换。条件如下：双向晶闸管电路图(图)A，从关断到导通，1。阳极电位高于阴极电位，2。控制电极有足够的直流电压和电流，两者缺一不可。b .维持传导1。阳极电位高于阴极电位，2。阳极电流高于保持电流，二者缺一不可。c，从开到关。1.阳极电势低于阴极电势。2.阳极电流小于保持电流。两个条件都够了。当控制电极G加直流电压时，由于JBOY3乐队的正偏压，P2区的空穴进入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在晶闸管内部正反馈和IGT效应的基础上，晶闸管提前导通，导致伏安特性OA段左移。IGT越大，特征左移越快。双向晶闸管-构造原理双向晶闸管在形式上可以看作是两个普通晶闸管的组合，但实际上它是由七个晶体管和几个电阻组成的功率集成器件。小功率双向晶闸管一般都是塑封的，有的还带有散热板。典型产品有bcmlam (1a/600v)、bcm3am (3a/600v)、2n6075 (4a/600v)、mac218-10 (8a/800v)等。大多数大功率双向晶闸管封装在RD91型中。三端双向可控硅开关属于NPNPN五层器件，它的三个电极分别是T1、T2和G。因为器件可以双向导通，所以除了栅极G以外的两个电极统称为主端子，使用T1和T2。不再分阳极或阴极。其特征在于，当G和T2的电压相对于T1为正时，T2为阳极，T1为阴极。相反，当G和T2的电压相对于T1都为负时，T1成为阳极，T2成为阴极。双向晶闸管由于其正向和反向特性曲线的对称性，可以在任一方向上导通。
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