6月15日，《日经亚洲评论》报道称，日本最早将于2025年与美国合作在日本建立2nm芯片制造基地，以加入下一代芯片技术的商业竞争。 报道提到，日本和美国政府将在双边芯片技术伙伴关系下提供支持，两国私营企业将进行设计研究和量产。
目前，台积电是先进芯片制造的全球领导者，并计划在 2025 年量产 2nm 工艺，但该公司通常不会在台湾以外建立最先进的工厂。 近两年，台积电先后宣布在美国和日本建设芯片工厂。 美国工厂计划在2024年量产5nm，日本工厂计划在2024年量产10nm到20nm的芯片。
日经报道称，日本希望通过生产新一代芯片来确保稳定供应 本地半导体。 为此，日本和美国公司有望联合组建新公司，或者日本公司可以建立一个新的制造中心。 经济产业省将补贴部分研发费用和资本支出。 日本和美国最早将于今年夏天开始联合研究，并在 2025 年至 2027 年期间建立研究和量产中心。
更先进的芯片工艺有助于器件小型化和性能提升。 日媒称，2nm芯片将用于量子计算机、数据中心和高端智能手机等产品。 这些芯片还可以降低功耗并减少碳排放。 而芯片尺寸也会影响战斗机、导弹等军事装备的性能。 从这个角度来看，2nm芯片直接关系到国家安全。
今年5月初，日美达成了一项基本原则，即日美等“志同道合”的国家将共同推进区域半导体供应链建设。 日本和美国将在即将举行的“2+2”内阁经济官员会议上讨论合作细节。 上周，日本内阁批准了首相岸田文雄的“新资本主义”议程，概述了通过与美国的双边公私合作伙伴关系在 10 年内建立芯片设计和制造基地的计划。
除了台积电，三星和英特尔也在布局2nm芯片制造。 其中，三星芯片代工业务高管去年10月透露，该公司预计将在2025年下半年使用其2nm制造工艺量产芯片。英特尔今年4月透露，下一代英特尔18A 工艺(相当于1.8nm)将是将提前2024年下半年投产。
Nikkei Asia 报道称，日本国家研究机构国立先进工业科学技术研究院正在开发先进半导体生产线的制造技术，包括用于 2nm 工艺的生产线、东京等芯片制造设备制造商 Electron 和佳能，以及 IBM、英特尔和台积电都已加入。
“日本有信越化学、Sumco等强大的芯片材料厂商，而美国有芯片制造设备巨头应用材料，芯片厂商与主要供应商的合作旨在实现2nm芯片量产 技术，”报告说。
日媒的期待值很高，但客观来说，现在谈2nm工艺可能还为时过早。 毕竟台积电和三星的3nm还没有实现量产。
按照计划，三星已宣布2022年上半年3nm工艺量产将领先台积电一步，而台积电此前透露下半年3nm量产时间 不过，近日行业分析师郭明錤在推特上爆料称，台积电的 3nm 和 4nm 改进版要到 2023 年才能量产，这将导致今年的新 iPhone 仅使用 5nm 改进版和 4nm 工艺。