三星7nmEUV芯片生产开始

2021-11-25 11:05:53   编辑:萧婉晴
导读 三星电子透露,他们已经开始在其下一个工艺节点 7nm LPP EUV 上进行晶圆生产。这也称为采用极紫外 (EUV) 光刻技术的 7 纳米 (nm)

三星电子透露,他们已经开始在其下一个工艺节点 7nm LPP EUV 上进行晶圆生产。这也称为采用极紫外 (EUV) 光刻技术的 7 纳米 (nm) LPP(低功率增强型)。本周还有新的 SmartSSD、QLC-SSD 和 256GB 3DS RDIMM。

三星在其三星技术日上展示了该产品以及加工产品方面的其他几项创新和里程碑。这里最重要的是 7nm 生产正在进行中——但潜在的伟大之处在于技术本身。三星的 7 纳米 LPP EUV 代表了在 10 纳米工艺中与最新一代工艺相比的重大进步。

三星 7nm LPP EUV 对比 10nm 工艺

• 最大面积减少 40%

• 动态功耗减少 50%

• 性能提高 20%

被列为将使用这种 7nm 工艺的潜在边界推动者的应用如下:5G(数据连接)、人工智能(AI)、企业和超大规模数据中心、各种物联网项目、智能汽车,当然还有永远——当前网络。

三星代工销售和营销团队执行副总裁 Charlie Bae 表示:“这种晶圆制造方式的根本性转变使我们的客户有机会以更高的吞吐量、更少的层数和更高的良率显着缩短产品的上市时间。电子产品。“我们相信,7LPP 不仅是移动和 HPC 的最佳选择,也是各种尖端应用的最佳选择。”

在宣布量产7LPP的同时,三星也明确了目前三星代工的技术路线图,为用户提供了“明确的3nm路径”。

三星科技日还展示了 SmartSSD,一款全新的 1Tb QLC-SSD,以及令人印象深刻的 256 GB 3DS(3 维堆叠)RDIMM(注册双列直插内存模块)。SmartSSD 将 FPGA 加速器集成到 SSD 单元中,从而绕过服务器 CPU 限制并加快数据处理速度。三星表示,由于上述合并,用户将看到“更高的处理性能、更快的洞察时间、更多的虚拟机 (VM)、可扩展的性能、更好的重复数据删除和压缩、更低的功耗和更少的 CPU”。系统。”

三星旨在通过 1Tb QLC-SSD、Z-SSD 和 8GB Aquabolt 进一步打破性能障碍。三星代表说:“8GB Aquabolt 提供了当今市场上任何基于 DRAM 的内存解决方案中最快的数据传输速度和最高性能,每个 HBM 立方体的速度为 307GB/s。” 三星还表示,采用 QLC-SSD 和 Z-SSD 分层解决方案的系统“可使整体系统性能提高 53%”。似乎是一个非常强大的声明——我们会看到的!

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