骁龙855曝光:7纳米工艺TSMC独家代工

2021-10-29 15:29:14   编辑:师武伟
导读新时代,高科技越来越发达。朋友们看了很多科技新闻。我们也应该在生活中使用很多这些高科技的东西。朋友要注意什么?今天,我想和大家分享

新时代,高科技越来越发达。朋友们看了很多科技新闻。我们也应该在生活中使用很多这些高科技的东西。朋友要注意什么?今天,我想和大家分享一条关于科技的知识。我希望你会喜欢它。

新骁龙845机刚刚在MWC2018大会上宣布,台媒爆出下一代骁龙855旗舰处理器的消息。消息称,骁龙855将采用更先进的7 nm FinFET工艺技术,与骁龙X24 LTE基带集成,传输速率高达2Gbps,可以说是地面最强基带。骁龙X24基带芯片也将采用7 nm FinFET工艺,TSMC将是唯一的代工地。

据消息人士透露,TSMC已经在今明两年拿下了7nm芯片的代工权,明年下半年开始试生产的5G芯片将采用三星的7nm EUV工艺生产。

至于高通的7 nm骁龙X24基带芯片,据说可以支持多达7个载波聚合,是全球第一款针对Cat 20 LTE的基带芯片,可以同时支持20个LTE数据流,也就是说可以合理利用运营商提供的所有频谱资源。在本次MWC2018大会上,高通将与Telstra、爱立信和Netgear等设备制造商或运营商在骁龙演示X24的传输。

除了全球最快的传输速度外,骁龙855处理器还将增强人工智能、摄像头ISP等计算功能,并不排除加入第三代超声波屏指纹识别方案。骁龙855将于今年年底亮相。

除了获得高通的7纳米订单,TSMC还将在第二季度后为苹果、西林、魏超、英伟达和海思制造7纳米芯片。TSMC董事长张忠谋表示,目前TSMC 7nm的市场份额已经达到100%。

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